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IRF7468PbF
100000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
10
I D = 8.0A
10000
Ciss = C gs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
8
V DS = 32V
V DS = 20V
Ciss
6
1000
Coss
4
100
10
Crss
2
0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 150 ° C
10
100
10us
100us
1
T J = 25 ° C
10
1ms
T A = 25 C
0.1
0.4
0.6
0.8
V GS = 0 V
1.0         1.2
1
1
°
T J = 150 ° C
Single Pulse
10
10ms
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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